中化天康芯片项目取得阶段性成果

2023年2月，中化天康“SOI硅压阻式压力敏感芯片”项目取得了阶段性进展，实现了产品工艺的自主研发，大大缩短了研发周期，降低了成本，有效确保了产品的一致性。研发出的多规格新型高温压力芯片和传感器芯体产品性能良好，常温下，非线性误差均在0.1％以下，具有良好的输出特性；适用温度范围宽，能够适应150℃和-50℃的高、低温极限环境，且电压输出稳定，达到了预期期望值，相关产品均取得第三方检测报告。

同时，公司采用自主研发的SOI压力敏感芯片作为核心元件，用绝缘膜电隔离技术替代了传统的PN结电隔离技术，相比于常规的扩散硅压力传感器，具有更好的稳定性。在封装结构方面采用小体积充油式耐高温高压结构，充以特殊的硅油，并进行高宽温区的老化和补偿等，环境适用性强、可靠性高、稳定性好。

中化天康目前已建成一条完整的MEMS芯体研发产线，可完成整个生产工艺：湿法腐蚀—静电键合—划片—固定芯片-引线键合-膜片焊接-硅油充灌-钢珠焊接-压力疲劳-温度老练-电老练-稳定性筛选-温漂筛选-静态性能筛选-电子束焊接-环境应力筛选。未来中化天康亦将继续全力以赴、砥砺前行，加快芯片产业化进度，为公司做优做强贡献力量。